BD14016STU和BD140G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD14016STU BD140G BD14016S

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD14016STU.  双极性晶体管, PNP, -80VON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -1.50 A 1.50 A -1.50 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1250 mW 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 250

额定功率(Max) - 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) - 40 40

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1250 mW 1250 mW

针脚数 - 3 -

长度 - - 8 mm

宽度 - - 3.25 mm

高度 - - 11.2 mm

封装 TO-126 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Bulk Bulk

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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