BSP299H6327和BSP299L6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP299H6327 BSP299L6327 BSP299

描述 500V,4000mΩ,0.4A,N沟道小信号MOSFETMOSFET, N, LOGIC, REEL 1KInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 - SOT-223 SOT-223

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 4 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.50 W 1.8 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 400 mA 400 mA

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) - - 300pF @25V(Vds)

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - - 1.8 W

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 400 mA -

输入电容 - 400 pF -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.5 mm

高度 - - 1.6 mm

封装 - SOT-223 SOT-223

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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