41532和AT-41532-TR1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 41532 AT-41532-TR1G

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SOT-323, 3 PIN射频(RF)双极晶体管 Transistor Si

数据手册 --

制造商 HP (惠普) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-323 SC-70-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SC-70-3

长度 - 2.25 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT)

额定电压(DC) - 12.0 V

额定电流 - 50.0 mA

极性 - NPN

耗散功率 - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V

增益 - 9dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 270

额定功率(Max) - 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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