对比图
型号 IPB081N06L3GATMA1 IRF1018ESPBF FDB070AN06A0
描述 INFINEON IPB081N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 VMOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 80.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0071 Ω 0.0061 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 79 W 110 W 175 W
阈值电压 1.7 V 4 V 4 V
输入电容 - - 3.00 nF
栅电荷 - - 51.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 50A 79A 80.0 A
上升时间 26 ns 35 ns 159 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @30V(Vds) 2290pF @50V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 175 W
下降时间 7 ns 46 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 110W (Tc) 175 W
额定功率 79 W 110 W -
通道数 - 1 -
长度 10.31 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.45 mm 9.25 mm 11.33 mm
高度 4.57 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99