对比图
型号 IRF830PBF NTE2398 SIHP5N50D-GE3
描述 VISHAY IRF830PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 VNTE ELECTRONICS NTE2398 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 4.5A TO-220VISHAY SIHP5N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 1.5 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 74 W 104 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500V (min) 500 V
上升时间 16.0 ns 16.0 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) - 325pF @100V(Vds)
下降时间 - - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 74 W - 104 W
额定电压(DC) 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.50 A -
额定电流 4.50 A - -
额定功率 75 W - -
输入电容 610pF @25V - -
栅电荷 38.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 10.51 mm - 10.51 mm
宽度 4.65 mm - 4.65 mm
高度 9.01 mm - 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Box - Bulk
产品生命周期 - Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -
HTS代码 - 85412900951 -