对比图
型号 2N7002K-T1-E3 TN0201K-T1-E3 BS170
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 2Ω; ID 300mA; TO-236 (SOT-23); PD 0.35WTrans MOSFET N-CH 20V 0.64A 3Pin TO-236 T/R小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3
引脚数 3 - 3
耗散功率 0.35 W 350mW (Ta) 350 mW
漏源极电压(Vds) 60 V 20 V 60 V
耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 500 mA
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 4 Ω - 5 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 2 V - 2.1 V
输入电容 30pF @25V - 60.0 pF
漏源击穿电压 60 V - 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 500 mA
输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) - 60pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3
长度 3.04 mm - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -