对比图
描述 PNP 晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。ON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) - -45.0 V -45.0 V
额定电流 - -1.50 A -1.50 A
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 250
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1.25 W 1250 mW 12.5 W
针脚数 3 3 -
热阻 - 10℃/W (RθJC) -
直流电流增益(hFE) 40 25 -
频率 50 MHz - -
长度 7.8 mm 7.8 mm 8 mm
宽度 2.7 mm 2.66 mm 3.25 mm
高度 10.8 mm 11.04 mm 11 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99