对比图
型号 FDMC8554 PSMN3R5-30LL,115 BSZ035N03LS G
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin QFN EP T/RTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin TSDSON
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-33-8 VDFN-8 TSDSON-8
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 71 W 69.0 W
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
上升时间 10 ns 54 ns 5.4 ns
输入电容(Ciss) 3380pF @10V(Vds) 2061pF @15V(Vds) 3300pF @15V(Vds)
下降时间 7 ns 18 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta), 41W (Tc) 71W (Tc) 2100 mW
漏源极电阻 3.60 mΩ - -
输入电容 3.38 nF - -
栅电荷 62.0 nC - -
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 16.5 A - -
额定功率(Max) 2 W - -
长度 3 mm - 3.3 mm
高度 0.95 mm - 1.10 mm
封装 Power-33-8 VDFN-8 TSDSON-8
宽度 3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -