MJE172G和MJE172STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE172G MJE172STU MJE172

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE172G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。MULTICOMP  MJE172  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

频率 50 MHz 50 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V 80.0 V

额定电流 3.00 A -3.00 A 3.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 1.5 W 12.5 W 1.5 W

增益频宽积 - 50 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W -

直流电流增益(hFE) 12 12 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 12500 mW 12.5 W -

热阻 10℃/W (RθJC) - -

长度 7.8 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.1 mm 11 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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