Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for low power audio amplifier low current, high speed switching applications.
得捷:
TRANS PNP 80V 3A TO126-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
PNP 12.5 W 80 V 3 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJE172STU Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 50 MHz, 12.5 W, -3 A, 12 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 3A TO-126
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-126
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 12.5 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 12
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 12.5 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJE172STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSE172STU 飞兆/仙童 | 完全替代 | MJE172STU和KSE172STU的区别 |
MJE172G 安森美 | 功能相似 | MJE172STU和MJE172G的区别 |
BD140G 安森美 | 功能相似 | MJE172STU和BD140G的区别 |