MJE172STU

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MJE172STU概述

Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for low power audio amplifier low current, high speed switching applications.


得捷:
TRANS PNP 80V 3A TO126-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


富昌:
PNP 12.5 W 80 V 3 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJE172STU  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 50 MHz, 12.5 W, -3 A, 12 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 3A TO-126


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-126


MJE172STU中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -3.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 12.5 W

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 12

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 12.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE172STU
型号: MJE172STU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号MJE172STU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE172STU

Fairchild 飞兆/仙童

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KSE172STU

飞兆/仙童

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