BUK624R5-30C,118和CSD17310Q5A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK624R5-30C,118 CSD17310Q5A

描述 DPAK N-CH 30V 90A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 VSON-FET-8

引脚数 - 8

通道数 1 1

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 158W (Tc) 3.1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 90A 100 A

输入电容(Ciss) 4707pF @25V(Vds) 1560pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 158 W 3.1 W

耗散功率(Max) 158W (Tc) 3.1W (Ta)

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0039 Ω

阈值电压 - 1.3 V

漏源击穿电压 - 30 V

上升时间 - 11.5 ns

下降时间 - 5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 VSON-FET-8

长度 - 6 mm

宽度 - 4.9 mm

高度 - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

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