PBSS4160U和PBSS4160U,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4160U PBSS4160U,115

描述 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-70 SOT-323-3

极性 NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 200 @500mA, 5V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 0.415 W 415 mW

频率 - 220 MHz

额定功率 - 0.25 W

针脚数 - 3

耗散功率 - 415 mW

增益频宽积 - 220 MHz

额定功率(Max) - 415 mW

直流电流增益(hFE) - 500

长度 2.2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70 SOT-323-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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