对比图
型号 FDN337N RTR040N03TL SI2304DDS-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN337N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mVROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.054 Ω 0.066 Ω 0.049 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1 W 1.1 W
阈值电压 700 mV 1.5 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 2.20 A 4.00 A 3.60 A
上升时间 10 ns 18 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) 475pF @10V(Vds) 235pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1 W 1.7 W
下降时间 4 ns 19 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1W (Ta) 1.7 W
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 2.20 A - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.60 mm 1.4 mm
高度 0.94 mm 0.85 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -