KSA1175GBU和KSA1175GTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSA1175GBU KSA1175GTA A73

描述 Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3Pin TO-92S Bulk双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-3 TO-92-3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 6V 200 @1mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 700 -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4 mm -

宽度 - 2.31 mm -

高度 - 3.7 mm -

封装 TO-226-3 TO-92-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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