AS7C1026B-20JCN和IDT71016S20YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS7C1026B-20JCN IDT71016S20YG 71016S20YG

描述 静态随机存取存储器 1M, 5V, 20ns FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

引脚数 - 44 44

工作电压 4.5V ~ 5.5V - -

存取时间 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 5 V 4.5V ~ 5.5V

供电电流 - - 170 mA

电源电压(DC) - 4.50V (min) -

内存容量 - 125000 B -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

长度 - - 28.6 mm

宽度 - - 10.2 mm

高度 - - 2.9 mm

厚度 - - 2.90 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991 -

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