对比图
型号 AUIRFB3207 IRFB3207PBF IRFB3207
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220ABTO-220AB N-CH 75V 180A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定功率 300 W 330 W -
漏源极电阻 0.0036 Ω 0.0036 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300 W -
阈值电压 2 V 4 V -
输入电容 - 7600 pF -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75.0 V
漏源击穿电压 75 V 75 V -
连续漏极电流(Ids) 170A 170A 180 A
上升时间 120 ns 120 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 7600pF @50V(Vds) 7600pF @50V(Vds) -
下降时间 74 ns 74 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 330W (Tc) -
通道数 1 - -
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 180 A
产品系列 - - IRFB3207
长度 10.66 mm 10.66 mm -
宽度 4.82 mm 22.86 mm -
高度 16.51 mm 4.82 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -