对比图
型号 DS1265Y-70 DS1265Y-70+ DS1265W-100IND+
描述 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1265W-100IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 36 36 36
封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
工作电压 - - 3.3 V
针脚数 - - 36
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 100 GHz
存取时间 70.0 ns 70 ns 100 ns
内存容量 8000000 B 8000000 B 1000000 B
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) - 5.5 V 3.6 V
电源电压(Min) - 4.5 V 3 V
长度 - 53.34 mm 53.34 mm
宽度 - 18.8 mm 18.8 mm
高度 - 10.29 mm 10.29 mm
封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free