对比图
型号 FDP6030L ISL9N310AP3 FDP8880
描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 13 mΩ 15.0 mΩ 0.0116 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 52 W 70.0 W 55 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 62.0 A 54.0 A
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 48.0 A - 54.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2.5 V
输入电容 - - 1.24 nF
栅电荷 - - 22.0 nC
上升时间 12 ns - 107 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) - 1240pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 52 W - 55 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 52W (Tc) - 55W (Tc)
下降时间 12 ns - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.7 mm - 4.83 mm
高度 16.3 mm - 9.65 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99