对比图
型号 FQA24N50F STW20NK50Z FDH44N50
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 24.0 A 17.0 A -
漏源极电阻 200 mΩ 0.23 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 290W (Tc) 190 W 750 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 17.0 A -
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 190 W 750 W
耗散功率(Max) 290W (Tc) 190W (Tc) 750 W
额定功率 - 190 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3.15 V
输入电容 - 2600 pF -
上升时间 - 20 ns 84 ns
下降时间 - 15 ns 79 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.87 mm
宽度 - 5.15 mm 4.82 mm
高度 - 20.15 mm 20.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -