对比图
型号 FDS3890 FDS3890_NL
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3890 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 VSOIC N-CH 80V 4.7A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 SOIC-8 SOIC
额定电压(DC) 80.0 V -
额定电流 4.70 A -
通道数 2 -
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.034 Ω -
极性 Dual N-Channel N-CH
耗散功率 2 W -
阈值电压 2.3 V -
输入电容 1.18 nF -
栅电荷 25.0 nC -
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V
漏源击穿电压 80 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.7A
上升时间 8 ns -
输入电容(Ciss) 1180pF @40V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW -
下降时间 12 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.6 W -
长度 4.9 mm -
宽度 3.9 mm -
高度 1.575 mm -
封装 SOIC-8 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99