FDS3890和FDS3890_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3890 FDS3890_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3890  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 80 V, 0.034 ohm, 10 V, 2.3 VSOIC N-CH 80V 4.7A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 80.0 V -

额定电流 4.70 A -

通道数 2 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.034 Ω -

极性 Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W -

阈值电压 2.3 V -

输入电容 1.18 nF -

栅电荷 25.0 nC -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

漏源击穿电压 80 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.7A

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 1180pF @40V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW -

下降时间 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6 W -

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.575 mm -

封装 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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