对比图
型号 IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2
描述 DPAK N-CH 55V 30A晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.027 Ω
极性 N-CH N-CH
耗散功率 68 W 68 W
阈值电压 - 1.6 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A
上升时间 18 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 621pF @25V(Vds) 621pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 68 W
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68W (Tc) 68W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 -