SH8M41GZETB和SH8M41TB1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SH8M41GZETB SH8M41TB1

描述 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 VMOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOP-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

输入电容(Ciss) 600pF @10V(Vds) 600pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.09 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel -

耗散功率 2 W -

阈值电压 2.5 V -

连续漏极电流(Ids) 3.4A/2.6A -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOP-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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