THS4120ID和THS4120IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4120ID THS4120IDR THS4120IDG4

描述 3.3V,100MHz,43V/us,全差分CMOS运放(带关断功能)高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS高速全差分I / O放大器 HIGH-SPEED FULLY DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 100mA @3.3V 100mA @3.3V 100mA @3.3V

供电电流 11 mA 11 mA 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1.02 W 1.02 W 1020 mW

共模抑制比 64 dB 64 dB 64 dB

输入补偿漂移 25.0 µV/K 25.0 µV/K 25.0 µV/K

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 55.0 V/μs 55.0 V/μs 55.0 V/μs

增益频宽积 100 MHz 100 MHz 100 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 8 mV

输入偏置电流 1.2 pA 1.2 pA 1.2 pA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 64 dB 60dB ~ 75dB 60dB ~ 75dB

电源电压(Max) 3.5 V - 3.5 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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