BBS-3和BBS3002-DL-1E

对比图

型号 BBS-3 BBS3002-DL-1E BBS3002

描述 Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SMP-FD, 3 PIN场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -100A, TO-263-3D2PAK/TO-263-2L/D2PAK-3P-CH -60V 100A 5.8mΩ

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-263-3 TO-263-2

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0044 Ω 5.8 mΩ

耗散功率 - 90 W 90 W

上升时间 - 1000 ns -

输入电容(Ciss) - 13200pF @20V(Vds) -

下降时间 - 820 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 90W (Tc) -

极性 - - P-CH

阈值电压 - - -2.6V

漏源极电压(Vds) - - -60V

连续漏极电流(Ids) - - 100A

封装 - TO-263-3 TO-263-2

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 800

RoHS标准 - -

含铅标准 - Lead Free -