对比图
型号 FDS6294 IRF7413PBF SI4894BDY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6294 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 11.3 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRF7413PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 VSI4894BDY-T1-GE3 编带
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.0 A - -
通道数 1 1 -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 11.3 mΩ 0.011 Ω 11 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3 W 2.5 W 1.4 W
阈值电压 1.8 V 3 V -
输入电容 1.21 nF - -
栅电荷 10.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A 8.9A
上升时间 4 ns 50 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 1580pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.2 W - 1.4 W
下降时间 6 ns 46 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 2500 mW
额定功率 - 2.5 W -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -