MMBFJ202和PMBFJ112,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ202 PMBFJ112,215 SST204-E3

描述 MMBFJ202 系列 40 V 4.5 mA N 沟道 通用 放大器 - SOT-23PMBFJ112 系列 5 Vgs 50 mA 表面贴装 N沟道 结型场效应管 - SOT-23-3JFET N-CH 25V 0.7mA SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Vishay Siliconix

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 - -40.0 V -

漏源极电阻 - 50 Ω -

耗散功率 350 mW 300 mW 350 mW

漏源极电压(Vds) - 40 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

栅源击穿电压 - 40 V -

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) - 6pF @10V(Vgs) 4.5pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -

极性 - - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - - 3.00 mA

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司