BSO110N03MSGXUMA1和BSO130N03MSGXUMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO110N03MSGXUMA1 BSO130N03MSGXUMA1 SI9801DY

描述 INFINEON  BSO110N03MSGXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 VDSO N-CH 30V 9ASmall Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Temic

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -

额定功率 1.56 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0092 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 1.56 W 1.56W (Ta) -

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 9A -

上升时间 4.4 ns 3.8 ns -

输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W -

下降时间 4.4 ns 4.2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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