对比图
型号 IRFS59N10DPBF IRFS59N10DTRRP IRFS59N10DTRLP
描述 INFINEON IRFS59N10DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 VD2PAK N-CH 100V 59A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 200 W 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 59A 59A 59A
输入电容(Ciss) 2450pF @25V(Vds) 2450pF @25V(Vds) 2450pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
上升时间 90 ns - 90 ns
下降时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 200 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.025 Ω - -
阈值电压 5.5 V - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -