对比图
描述 TO-236AB N-CH 55V 0.335ANXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 2.3 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 830mW (Tc) 830 mW
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 0.335A 335 mA
输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 830mW (Tc) 830 mW
漏源击穿电压 - -
长度 - 3 mm
宽度 - 1.4 mm
高度 - 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17