APT20M45SVFRG和FDB52N20TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M45SVFRG FDB52N20TM APT20M45SVR

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin(2+Tab) D3PAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB52N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 VD3PAK N-CH 200V 56A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-268 TO-263-3 D3PAK

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 2 -

极性 - N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 52.0 A 56A

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 56.0 A 52.0 A -

针脚数 - 2 -

漏源极电阻 - 0.041 Ω -

耗散功率 300 W 357 W -

阈值电压 - 5 V -

输入电容 4.86 nF 2.90 nF -

栅电荷 195 nC 63.0 nC -

栅源击穿电压 - 200 V -

上升时间 14 ns 175 ns -

输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 357 W -

下降时间 7 ns 29 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 357 W -

封装 TO-268 TO-263-3 D3PAK

长度 - 9.98 mm -

宽度 - 10.16 mm -

高度 - 4.572 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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