JAN2N2484UB和JANS2N2484UB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2484UB JANS2N2484UB 2N2484UB

描述 UB NPN 60V 0.05AUB NPN 60V 0.05ANPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SMD-3 SMD SMD-3

耗散功率 - - 0.36 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 225 @10mA, 5V - 225 @10mA, 5V

额定功率(Max) 360 mW - 360 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW 360 mW

极性 NPN NPN -

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A -

封装 SMD-3 SMD SMD-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Pack - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台