IRF1503PBF和STP200NF03

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1503PBF STP200NF03 STP80NF03L-04

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 240A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 75.0 A 120 A 80.0 A

漏源极电阻 - 0.0032 Ω 0.004 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 300 W 300 W

阈值电压 - 4 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 80.0 A

上升时间 130 ns 195 ns 270 ns

输入电容(Ciss) 5730pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 300 W 300 W

下降时间 - 60 ns 95 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300000 mW 300W (Tc)

额定功率 - - 300 W

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

产品系列 IRF1503 - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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