对比图
型号 JAN2N5682 JANTXV2N5682 2N5682
描述 Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT10W High Voltage NPN Metal Can Transistor. 120V Vceo, 1A Ic, 5 hFE.
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Continental Device
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-205 TO-39 -
耗散功率 - 1 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V - -
额定功率(Max) 1 W - -
封装 TO-205 TO-39 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bag Bag -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - -