JAN2N5682和JANTXV2N5682

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5682 JANTXV2N5682 2N5682

描述 Trans GP BJT NPN 120V 1A 3Pin TO-39双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT10W High Voltage NPN Metal Can Transistor. 120V Vceo, 1A Ic, 5 hFE.

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Continental Device

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-205 TO-39 -

耗散功率 - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @250mA, 2V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-205 TO-39 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

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