对比图
型号 BUK6213-30C,118 NTD4815NT4G NTD20N03L27T4G
描述 BUK6213 系列 30 V 14 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - To-252ON SEMICONDUCTOR NTD4815NT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 35A, D-PAKON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 1.92 W 74 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 47A 35.0 A 20.0 A
上升时间 11.4 ns 21.4 ns 137 ns
输入电容(Ciss) 1108pF @25V(Vds) 770pF @12V(Vds) 1260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 1.26 W 1.75 W
下降时间 18.6 ns 3.5 ns 31 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 35.0 A 20.0 A
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 - 15 mΩ 0.023 Ω
阈值电压 - 1.5 V 1.6 V
输入电容 - 770 pF -
栅电荷 - 6.60 nC -
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99 EAR99