对比图
描述 BCW30@215ON SEMICONDUCTOR BCW30LT1G 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFEPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -32.0 V -32.0 V
额定电流 - -100 mA -500 mA
针脚数 - 3 -
极性 PNP PNP -
耗散功率 - 225 mW 0.35 W
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V 32 V
集电极最大允许电流 - 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) - 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 225 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) - 215 -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
高度 - - 0.93 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99