IRGB10B60KDPBF和STGP10NB60S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB10B60KDPBF STGP10NB60S STGP20NC60V

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRGB10B60KDPBF  晶体管, 单路, IGBT, 600V, 22A 新STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGP20NC60V  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 22.0 A 10.0 A 30 A

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 156 W 80 W 200 W

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 156 W 80 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW 200 W

上升时间 20.0 ns - 11.0 ns

产品系列 IRGB10B60KD - -

热阻 0.8℃/W (RθJC) - -

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - - 0.0960001099056 kg

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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