对比图
型号 FDI047AN08A0 IPB049NE7N3G IPB049NE7N3GATMA1
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз75V,80A,N沟道功率MOSFETINFINEON IPB049NE7N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0044 ohm, 10 V, 3.1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-262-3 D2PAK TO-263
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 4 mΩ - 0.0044 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W - 150 W
输入电容 6.60 nF - -
栅电荷 92.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V - 75 V
漏源击穿电压 75 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80A
上升时间 88 ns - 11 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) - 3570pF @37.5V(Vds)
额定功率(Max) 310 W - -
下降时间 45 ns - 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) - 150000 mW
额定功率 - - 150 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3.1 V
长度 10.29 mm - 10.31 mm
宽度 4.83 mm - 9.45 mm
高度 7.88 mm - 4.57 mm
封装 TO-262-3 D2PAK TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -