FDD6692和STD40NF03LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6692 STD40NF03LT4 STD60N3LH5

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 40.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 12.0 mΩ 0.009 Ω 7.6 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 57.0 W 80 W 60 W

阈值电压 - 1 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 -60.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 54.0 A 20.0 A 24.0 A

上升时间 - 165 ns 33 ns

输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 80 W 60 W

下降时间 - 25 ns 4.2 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80W (Tc) 60W (Tc)

宽度 - 6.2 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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