对比图
型号 STD9NM60N STP9NM60N SIHD7N60E-GE3
描述 STMICROELECTRONICS STD9NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP9NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 0.63 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.63 Ω 0.63 Ω 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 70 W 70 W 78 W
阈值电压 3 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 6.5A 7A
上升时间 23 ns 23 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 452pF @50V(Vds) 452pF @50V(Vds) 680pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 78 W
下降时间 26.7 ns 26.7 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 78000 mW
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 6.6 mm 10.4 mm -
宽度 6.2 mm 4.6 mm -
高度 2.4 mm 15.75 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -