对比图
型号 RZM002P02 RZM002P02T2L
描述 RZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-723 SOT-723-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 2.4 Ω 0.8 Ω
耗散功率 - 150 mW
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) -20V 20 V
上升时间 - 4 ns
输入电容(Ciss) - 115pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 150 mW
下降时间 - 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 150 mW
极性 P -
连续漏极电流(Ids) -0.2A -
长度 - 1.3 mm
宽度 - 0.9 mm
高度 - 0.45 mm
封装 SOT-723 SOT-723-3
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
最小包装 8000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99