IPP60R520C6和IPP60R520CPXKSA1

对比图

型号 IPP60R520C6 IPP60R520CPXKSA1 IPP60R520C6XKSA1

描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorTO-220 N-CH 600V 6.8ATO-220 N-CH 600V 8.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 66W (Tc) 66W (Tc) 66 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.8A 8.1A

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc) 66000 mW

通道数 1 - -

阈值电压 2.5 V - -

上升时间 10 ns - 10 ns

额定功率(Max) 66 W - -

下降时间 14 ns - 14 ns

额定功率 - - 66 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free