PHT4NQ10LT和PHT4NQ10LT,135

对比图

型号 PHT4NQ10LT PHT4NQ10LT,135 PH-T-4

描述 PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术NXP  PHT4NQ10LT,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 VPHT4NQ10LT - N-channel TrenchMOS logic level FET SC-73 4-Pin

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.2 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 6.9 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A -

上升时间 - 10 ns -

输入电容(Ciss) - 374pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 6.9 W -

下降时间 - 21 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 6.9W (Tc) -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -