对比图
描述 PNP Epitaxial Silicon TransistorNPN功率晶体管 NPN POWER TRANSISTORSSTMICROELECTRONICS BD911 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 90 W, 15 A, 50 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220 TO-220-3
引脚数 - - 3
极性 - PNP NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
集电极最大允许电流 - 12A -
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 15.0 A
针脚数 - - 3
耗散功率 - - 90 W
最小电流放大倍数(hFE) - - 15 @5A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - - 150
额定功率(Max) - - 90 W
直流电流增益(hFE) - - 50
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 90 W
封装 - TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 - - Silicon
工作温度 - - 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99