2N7002W-7-F和2N7002W-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002W-7-F 2N7002W-TP 2N7002W

描述 2N7002W-7-F 编带2N7002W 系列 60 V 115 mOhm N-沟道 增强型 晶体管 - SOT-323FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002W  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 0.115A -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200mW (Ta) 200mW (Ta)

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 13.5 Ω - 2.53 Ω

阈值电压 2 V - 1.76 V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 115 mA - -

漏源击穿电压 70 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - -

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