对比图
型号 QS8J11TCR TT8J11TCR
描述 TSMT P-CH 12V 3.5A2个P沟道 12V 3.5A
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SMD-8 TSST-8
极性 P-CH P-CH
耗散功率 - 1.25 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.5A
上升时间 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @6V(Vds) 2600pF @6V(Vds)
额定功率(Max) 550 mW 650 mW
下降时间 60 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1500 mW 650 mW
封装 SMD-8 TSST-8
材质 Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free