MPSW51A和MPSW51ARLRPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW51A MPSW51ARLRPG MPSW51ARLRAG

描述 一瓦高电流晶体管( PNP硅) One Watt High Current Transistors(PNP Silicon)一瓦高电流晶体管 One Watt High Current TransistorsTO-92 PNP 40V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A -1.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1 W 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

增益频宽积 50 MHz 50 MHz -

集电极击穿电压 -50.0 V (min) - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 7.87 mm 7.87 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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