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MPSW51A概述

一瓦高电流晶体管（ PNP硅） One Watt High Current TransistorsPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1A 50MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226

得捷:
TRANS PNP 40V 1A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A 50V 1W PNP

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Bulk

MPSW51A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1 W

增益频宽积 50 MHz

集电极击穿电压 -50.0 V min

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MPSW51A

描述：一瓦高电流晶体管（ PNP硅） One Watt High Current TransistorsPNP Silicon

替代型号MPSW51A