对比图
型号 IRFS250B RSD200N10TL SPP21N10
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETCPT N-CH 100V 20ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-3 TO-252-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 20W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 21.3A 20A 21A
上升时间 - 61 ns 56 ns
输入电容(Ciss) - 2200pF @25V(Vds) 865pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 20 W 90 W
下降时间 - 193 ns 23 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 20W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 21.0 A
封装 TO-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free