CPT N-CH 100V 20A
* Low on - resistance. * Fast Switching Speed * Low Voltage Drive 2.5V Makes This Device ideal for Portable Equipment * Drive Circuits can be simple * Parallel use is easy
得捷:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
极性 N-CH
耗散功率 20W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 193 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSD200N10TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RSD201N10TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RSD200N10TL和RSD201N10TL的区别 |
NTD6415ANLT4G 安森美 | 功能相似 | RSD200N10TL和NTD6415ANLT4G的区别 |
SPP21N10 英飞凌 | 功能相似 | RSD200N10TL和SPP21N10的区别 |