IRFR5505GTRPBF和STD10PF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5505GTRPBF STD10PF06T4

描述 Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

通道数 1 1

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 57 W 40 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 40 W

额定电压(DC) - -60.0 V

额定电流 - -10.0 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.18 Ω

阈值电压 - 4 V

漏源击穿电压 - 60 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A

上升时间 - 40 ns

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - 175℃ (TJ)

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